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VT6K1T2CR è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
VT6K1T2CR | |
|---|---|
Codice DigiKey | VT6K1T2CRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) VT6K1T2CRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) VT6K1T2CRDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | VT6K1T2CR |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 100mA 120mW A montaggio superficiale VMT6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | VT6K1T2CR Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,2V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 100mA | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,5ohm à 100mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 100µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | - | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 7,1pF a 10V | |
Potenza - Max | 120mW | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | VMT6 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera