Name: VT6M1T2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: VT6M1T2CRTR-ND
Price: 0.29187 CHF
Availability: OutOfStock

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VT6M1T2CR
Codice DigiKey	VT6M1T2CRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) VT6M1T2CRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) VT6M1T2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	VT6M1T2CR
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 100mA 120mW A montaggio superficiale VMT6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	VT6M1T2CR Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Canale N e P
Funzione FET	Gate livello logico, comando 1,2V
Tensione drain/source (Vdss)	20V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100mA
RDSon (max) a Id, Vgs	3,5ohm à 100mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7,1pF a 10V
Potenza - Max	120mW
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	6-SMD, conduttori piatti
Contenitore del fornitore	VMT6
Codice componente base	VT6M1

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Data ultima possibilità d'acquisto

Data ultima possibilità d'acquisto: 31.03.2026

Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 0.27000	Fr. 0.27

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Nastrato in bobina (TR)