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GCMX003A120S3B1-N | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1560-GCMX003A120S3B1-N-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GCMX003A120S3B1-N |
Descrizione | 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 625A (Tc) 2,113kW (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | SemiQ | |
Serie | ||
Confezionamento | Scatola | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 625A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 5,5mohm a 300A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 120mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 1408nC a 20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 41400pF a 800V | |
Potenza - Max | 2,113kW (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | - |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Scatola
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 190.98000 | Fr. 190.98 |
| 15 | Fr. 183.96000 | Fr. 2’759.40 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 190.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 206.44938 |
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