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GCMX005A120B3B1P | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1560-GCMX005A120B3B1P-ND |
Produttore | |
Codice produttore | GCMX005A120B3B1P |
Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 383A |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 383A (Tc) 1,154kW (Tc) Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | SemiQ | |
Serie | - | |
Confezionamento | Vassoio | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | Carburo di silicio (SiC) | |
Configurazione | 4 Canale N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 383A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 7mohm a 200A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 80mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 927nC a 20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 23500pF a 800V | |
Potenza - Max | 1,154kW (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Montaggio su telaio | |
Contenitore/involucro | Modulo | |
Contenitore del fornitore | - |
In magazzino: 2
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 106.26000 | Fr. 106.26 |
| 10 | Fr. 92.68000 | Fr. 926.80 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 106.26000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 114.86706 |
Svizzera