Name: GCMX008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Price: 28.73298 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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GCMX008C120S1-E1
Codice DigiKey	1560-GCMX008C120S1-E1-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GCMX008C120S1-E1
Descrizione	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 188 A (Tc) 536W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SemiQ
Serie	QSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	188 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	12mohm a 100A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 40mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	14067 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	536W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 19.61800	Fr. 196.18
100	Fr. 17.18000	Fr. 1’718.00

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