Name: GCMX080A120B2H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX080A120B2H1P-ND
Price: 37.71609 CHF
Availability: InStock

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GCMX080A120B2H1P
Codice DigiKey	1560-GCMX080A120B2H1P-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GCMX080A120B2H1P
Descrizione	MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 27 A (Tc) 119W (Tc) Montaggio su telaio
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	SemiQ
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Attivo
Tecnologia	Carburo di silicio (SiC)
Configurazione	4 canale N (ponte intero)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	27 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id	4V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	56nC a 20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1362pF a 800V
Potenza - Max	119W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	-

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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10	Fr. 26.16900	Fr. 261.69
100	Fr. 24.10000	Fr. 2’410.00

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