Name: GCMX080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX080C120S1-E1-ND
Price: 18.47429 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

GCMX080C120S1-E1
Codice DigiKey	1560-GCMX080C120S1-E1-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GCMX080C120S1-E1
Descrizione	GEN3 1200V 80M SIC MOSFET MODULE
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 28 A (Tc) 118W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SemiQ
Serie	QSiC™
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	28 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 10A, 18V
Vgs(th) max a Id	4V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	57 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1328 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	118W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 30

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 17.09000	Fr. 17.09
10	Fr. 12.28400	Fr. 122.84
100	Fr. 9.83000	Fr. 983.00

Contenitore standard del produttore

Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.