Name: GP2T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP2T080A120H-ND
Price: 6.62653 CHF
Availability: OutOfStock

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GP2T080A120H
Codice DigiKey	1560-GP2T080A120H-ND
Produttore	SemiQ
Codice produttore	GP2T080A120H
Descrizione	SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 35 A (Tc) 188W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	SemiQ
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	100mohm a 20A, 20V
Vgs(th) max a Id	4V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	61 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1377 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	188W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4
Codice componente base	GP2T080A

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 6.13000	Fr. 6.13
30	Fr. 3.65467	Fr. 109.64
120	Fr. 3.37383	Fr. 404.86
510	Fr. 3.04102	Fr. 1’550.92

Contenitore standard del produttore

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