Name: SL10N10A
Brand: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
SKU: 5399-SL10N10ATR-ND
Price: 0.44321 CHF
Availability: InStock

Novità in DigiKey

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SL10N10A
Codice DigiKey	5399-SL10N10ATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 5399-SL10N10ACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 5399-SL10N10ADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Codice produttore	SL10N10A
Descrizione	100V 1 N-CHANNEL 3.1W10ASOT-223-
Tempi di consegna standard del produttore	4 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 15 A (Tc) 3,1W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	95mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1070 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA

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Nastrato in bobina (TR)