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S2M0160120D | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Produttore | |
Codice produttore | S2M0160120D |
Descrizione | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Foro passante TO-247AD |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 1200 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 196mohm a 10A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 2,5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | TO-247AD | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 240
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.18000 | Fr. 4.18 |
| 10 | Fr. 2.77500 | Fr. 27.75 |
| 300 | Fr. 1.73760 | Fr. 521.28 |
| 600 | Fr. 1.61423 | Fr. 968.54 |
| 1’200 | Fr. 1.55010 | Fr. 1’860.12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.51858 |
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