
S2M0160120D | |
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Codice DigiKey | 1655-S2M0160120D-ND |
Produttore | |
Codice produttore | S2M0160120D |
Descrizione | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 1200 V 17 A (Tc) 130W (Tc) Foro passante TO-247AD |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 2,5mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 26.5 nC @ 20 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) +20V, -5V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 513 pF @ 1000 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-247AD |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 196mohm a 10A, 20V |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.35000 | Fr. 4.35 |
| 10 | Fr. 2.89200 | Fr. 28.92 |
| 300 | Fr. 1.81043 | Fr. 543.13 |
| 600 | Fr. 1.68188 | Fr. 1’009.13 |
| 1’200 | Fr. 1.57387 | Fr. 1’888.64 |
| 2’100 | Fr. 1.50941 | Fr. 3’169.76 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.35000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.70235 |



