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GeneSiC Semiconductor
In magazzino: 424
Prezzo unitario : Fr. 10.04000
Scheda tecnica
TO-247-4
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SCT040W120G3-4

Codice DigiKey
497-SCT040W120G3-4-ND
Produttore
Codice produttore
SCT040W120G3-4
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Tempi di consegna standard del produttore
17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 40 A (Tc) 312W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
*
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
54mohm a 16A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
56 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1329 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
312W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-4
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 12.60000Fr. 12.60
30Fr. 7.75167Fr. 232.55
120Fr. 6.69025Fr. 802.83
510Fr. 6.64951Fr. 3’391.25
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 12.60000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 13.62060