8 Power SFN
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8 Power SFN
8 Power SFN

SCT055TO65G3

Codice DigiKey
497-SCT055TO65G3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-SCT055TO65G3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-SCT055TO65G3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCT055TO65G3
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Tempi di consegna standard del produttore
19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 30 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale TOLL (HV)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCT055TO65G3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
72mohm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
31 nC @ 18 V
Vgs (max)
+18V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
687 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
234W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TOLL (HV)
Contenitore/involucro
8-PowerSFN
Codice componente base
SCT055
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In magazzino: 84
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.85000Fr. 6.85
10Fr. 4.67400Fr. 46.74
100Fr. 3.67200Fr. 367.20
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’800Fr. 3.00000Fr. 5’400.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.85000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 7.40485