Canale N 750 V 30 A (Tc) 185W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
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SCT060HU75G3AG

Codice DigiKey
497-SCT060HU75G3AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-SCT060HU75G3AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-SCT060HU75G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCT060HU75G3AG
Descrizione
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 750 V 30 A (Tc) 185W (Tc) A montaggio superficiale HU3PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCT060HU75G3AG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
750 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs
78mohm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
29 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
680 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
185W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
HU3PAK
Contenitore/involucro
TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
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Data ultima possibilità d'acquisto: 30.06.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 9.92000Fr. 9.92
10Fr. 6.92100Fr. 69.21
100Fr. 5.22820Fr. 522.82
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
600Fr. 4.91743Fr. 2’950.46
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 9.92000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 10.72352