SCT10N120 STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

SCT10N120 è obsoleto e non è più in produzione.

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SCT10N120
Codice DigiKey	497-16597-5-ND
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCT10N120
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 12 A (Tc) 150W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCT10N120 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	12 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	690mohm a 6A, 20V
Vgs(th) max a Id	3,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	290 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	HiP247™
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	SCT10