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Sostituti disponibili:

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GeneSiC Semiconductor
In magazzino: 1’305
Prezzo unitario : Fr. 8.62000
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Rohm Semiconductor
In magazzino: 75
Prezzo unitario : Fr. 5.38000
Scheda tecnica
H2PAK
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SCT20N120H

Codice DigiKey
497-SCT20N120HTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-SCT20N120HCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-SCT20N120HDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SCT20N120H
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 20 A (Tc) 175W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCT20N120H Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
20V
RDSon (max) a Id, Vgs
290mohm a 10A, 20V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (max)
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
650 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
175W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
H2PAK-2
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Data ultima possibilità d'acquisto
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Data ultima possibilità d'acquisto: 15.02.2026
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 7.41000Fr. 7.41
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000Fr. 4.45085Fr. 4’450.85
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 7.41000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 8.01021