Name: SCTH90N65G2V-7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18352-2-ND
Price: 23.68471 CHF
Availability: InStock

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SCTH90N65G2V-7
Codice DigiKey	497-18352-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-18352-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-18352-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	SCTH90N65G2V-7
Descrizione	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCTH90N65G2V-7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	90 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	26mohm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id	5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3300 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	330W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	H2PAK-7
Contenitore/involucro	TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
Codice componente base	SCTH90