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SCTH90N65G2V-7 è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SCTH90N65G2V-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-18352-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-18352-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-18352-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SCTH90N65G2V-7 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 90 A (Tc) 330W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-7 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCTH90N65G2V-7 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 26mohm a 50A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 157 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3300 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | H2PAK-7 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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