TO-247-3
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SCTW100N65G2AG

Codice DigiKey
497-SCTW100N65G2AG-ND
Produttore
Codice produttore
SCTW100N65G2AG
Descrizione
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Foro passante HiP247™
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTW100N65G2AG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 50A, 18V
Vgs(th) max a Id
5V a 5mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
162 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3315 pF @ 520 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
420W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
HiP247™
Contenitore/involucro
Codice componente base
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