
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SCTW100N65G2AG |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 100 A (Tc) 420W (Tc) Foro passante HiP247™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCTW100N65G2AG Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 26mohm a 50A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 5mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 3315 pF @ 520 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 420W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | HiP247™ | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 22.67000 | Fr. 22.67 |
| 30 | Fr. 18.19100 | Fr. 545.73 |
| 120 | Fr. 18.00000 | Fr. 2’160.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 22.67000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 24.50627 |

