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SCTW35N65G2V è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SCTW35N65G2V |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Foro passante HiP247™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCTW35N65G2V Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 73 nC @ 20 V |
Produttore | Vgs (max) +22V, -10V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1370 pF @ 400 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 200°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V | Contenitore del fornitore HiP247™ |
RDSon (max) a Id, Vgs 67mohm a 20A, 20V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 5V a 1mA | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 347 | MSC060SMA070B-ND | Fr. 4.74000 | Simile |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | Fr. 13.20000 | Simile |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | Fr. 10.42000 | Simile |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | Fr. 9.19000 | Simile |
Obsoleto
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