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SCTW35N65G2V è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
SCTW35N65G2V | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SCTW35N65G2V |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 45 A (Tc) 240W (Tc) Foro passante HiP247™ |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SCTW35N65G2V Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Tubo | |
Stato componente | Data di acquisto finale | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 67mohm a 20A, 20V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 73 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1370 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | Foro passante | |
Contenitore del fornitore | HiP247™ | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Data ultima possibilità d'acquisto
Data ultima possibilità d'acquisto: 15.02.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 600 | Fr. 5.80500 | Fr. 3’483.00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 5.80500 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.27521 |
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