TO-247-4
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SCTWA60N120G2-4

Codice DigiKey
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
SCTWA60N120G2-4
Descrizione
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SCTWA60N120G2-4 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
60 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
52mohm a 30A, 18V
Vgs(th) max a Id
5V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1969 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
388W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 200°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-4
Contenitore/involucro
TO-247-4
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 231
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Data ultima possibilità d'acquisto: 15.02.2026
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 14.14000Fr. 14.14
10Fr. 11.23800Fr. 112.38
30Fr. 10.39133Fr. 311.74
120Fr. 9.63467Fr. 1’156.16
270Fr. 9.31100Fr. 2’513.97
510Fr. 9.10400Fr. 4’643.04
Contenitore standard del produttore
Nota: a causa dei servizi a valore aggiunto di DigiKey, il tipo di confezionamento può cambiare quando un prodotto viene acquistato in quantità inferiori alla confezione standard.
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 14.14000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 15.28534