


STB10N60M2 | |
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Codice DigiKey | 497-STB10N60M2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB10N60M2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB10N60M2DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB10N60M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 7,5 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB10N60M2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 600 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 600mohm a 3A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 85W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.88000 | Fr. 1.88 |
10 | Fr. 1.30000 | Fr. 13.00 |
100 | Fr. 0.88930 | Fr. 88.93 |
500 | Fr. 0.83424 | Fr. 417.12 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 0.85456 | Fr. 854.56 |
2’000 | Fr. 0.59731 | Fr. 1’194.62 |
3’000 | Fr. 0.58564 | Fr. 1’756.92 |
5’000 | Fr. 0.57830 | Fr. 2’891.50 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.88000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.03228 |