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Equivalente parametrico


STMicroelectronics
In magazzino: 1’625
Prezzo unitario : $ 1.71000
Scheda tecnica

Diretto


Infineon Technologies
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Prezzo unitario : $ 0.00000
Scheda tecnica

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In magazzino: 0
Prezzo unitario : $ 0.00000
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In magazzino: 0
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In magazzino: 2’085
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In magazzino: 616
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In magazzino: 566
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In magazzino: 0
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In magazzino: 0
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In magazzino: 0
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Scheda tecnica
D²PAK
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
D²PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB141NF55

Codice DigiKey
STB141NF55-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STB141NF55
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB141NF55 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
8mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in USD
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1’000$ 1.20720$ 1’207.20
2’000$ 1.13463$ 2’269.26
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:$ 1.20720
Prezzo unitario IVA inclusa:$ 1.30498