Name: STB18N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13083-2-ND
Price: 2.87546 CHF
Availability: OutOfStock

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STB18N65M5
Codice DigiKey	497-13083-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13083-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13083-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB18N65M5
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 15 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB18N65M5 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ V
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	15 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	220mohm a 7,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1240 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB18

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.05056	Fr. 1’050.56
2’000	Fr. 0.97460	Fr. 1’949.20

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.66000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.87546

STB18N65M5