Name: STB18NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10117-2-ND
Price: 4.94017 CHF
Availability: InStock

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STB18NM80
Codice DigiKey	497-10117-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10117-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10117-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB18NM80
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 17 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB18NM80 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 70 nC @ 10 V
Serie MDmesh™	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2070 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB18
RDSon (max) a Id, Vgs 295mohm a 8,5A, 10V

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In magazzino: 7’739

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.69956	Fr. 1’699.56
2’000	Fr. 1.61662	Fr. 3’233.24

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 4.94017

STB18NM80