Name: STB20N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12850-2-ND
Price: 7.62105 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STB20N95K5
Codice DigiKey	497-12850-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-12850-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-12850-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB20N95K5
Descrizione	MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 950 V 17,5 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB20N95K5 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 100µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie SuperMESH5™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 950 V	Contenitore del fornitore D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB20
RDSon (max) a Id, Vgs 330mohm a 9A, 10V