Name: STB25N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13640-2-ND
Price: 5.28609 CHF
Availability: InStock

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STB25N80K5
Codice DigiKey	497-13640-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13640-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13640-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB25N80K5
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 19,5 A (Tc) 250W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB25N80K5 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 100µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 40 nC @ 10 V
Serie SuperMESH5™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 19,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB25
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 19,5A, 10V

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In magazzino: 1’037

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Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 1.83614	Fr. 1’836.14
2’000	Fr. 1.76551	Fr. 3’531.02

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 4.89000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 5.28609

STB25N80K5