Name: STB26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10985-2-ND
Price: 7.05893 CHF
Availability: InStock

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STB26NM60N
Codice DigiKey	497-10985-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10985-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10985-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB26NM60N
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 20 A (Tc) 140W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB26NM60N Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ II	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB26
RDSon (max) a Id, Vgs 165mohm a 10A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1’000	Fr. 2.59842	Fr. 2’598.42

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 7.05893

STB26NM60N