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STB28N65M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-15456-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-15456-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15456-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB28N65M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 20 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB28N65M2 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 180mohm a 10A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1440 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 170W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-263 (D2PAK) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
In magazzino: 3’314
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.40000 | Fr. 3.40 |
| 10 | Fr. 2.23800 | Fr. 22.38 |
| 100 | Fr. 1.58010 | Fr. 158.01 |
| 500 | Fr. 1.44562 | Fr. 722.81 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.20942 | Fr. 1’209.42 |
| 2’000 | Fr. 1.18107 | Fr. 2’362.14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.40000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.67540 |
Svizzera