


STB42N65M5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STB42N65M5TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB42N65M5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB42N65M5DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB42N65M5 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 14 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 33 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB42N65M5 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 79mohm a 16,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 4650 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 190W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | D2PAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.30000 | Fr. 7.30 |
| 10 | Fr. 6.31600 | Fr. 63.16 |
| 100 | Fr. 5.79180 | Fr. 579.18 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 4.73190 | Fr. 4’731.90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 7.30000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 7.89130 |


