


STB45N65M5 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-12940-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-12940-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-12940-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB45N65M5 |
Descrizione | MOSFET N CH 650V 35A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 35 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB45N65M5 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 91 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3375 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 78mohm a 19,5 A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 3’519 | IPB60R099CPATMA1CT-ND | Fr. 6.13000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 7.13000 | Fr. 7.13 |
| 10 | Fr. 4.86600 | Fr. 48.66 |
| 100 | Fr. 3.58530 | Fr. 358.53 |
| 500 | Fr. 3.57228 | Fr. 1’786.14 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.91852 | Fr. 2’918.52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 7.13000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 7.70753 |


