STB7ANM60N STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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STB7ANM60N
Codice DigiKey	497-13935-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13935-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13935-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB7ANM60N
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 5 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB7ANM60N Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±25V
Serie MDmesh™ II	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 363 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5 A (Tc)	Contenitore del fornitore D2PAK
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,5A, 10V	Codice componente base STB7
Vgs(th) max a Id 4V a 250mA

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Classificazioni ambientali e di esportazione

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD7ANM60N	STMicroelectronics	192	497-13940-1-ND	Fr. 1.83000	Consigliato dal produttore
AOD4S60	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	90	785-1265-1-ND	Fr. 1.71000	Simile
FCD5N60TM	onsemi	4’104	FCD5N60TMCT-ND	Fr. 2.14000	Simile
FCD5N60TM-WS	onsemi	2’579	FCD5N60TM-WSCT-ND	Fr. 2.14000	Simile
FCD900N60Z	onsemi	1’442	FCD900N60ZCT-ND	Fr. 2.07000	Simile

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