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STB80NF55L-06T4 è obsoleto e non è più in produzione.
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STB80NF55L-06T4 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-12541-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STB80NF55L-06T4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB80NF55L-06T4 Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 136 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4850 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 55 V | Contenitore del fornitore D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 6,5mohm a 40A, 10V |
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Sostituti (14)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | 321 | 1727-4711-1-ND | Fr. 10.43000 | Simile |
| HUF75345S3ST | onsemi | 1’881 | HUF75345S3STCT-ND | Fr. 26.82000 | Simile |
| IPB80N06S2L06ATMA2 | Infineon Technologies | 1 | IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND | Fr. 13.61000 | Simile |
| IRF1010ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 99 | IRF1010ZSTRLPBFCT-ND | Fr. 10.20000 | Simile |
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | 3 | IRF1018ESTRLPBFCT-ND | Fr. 7.74000 | Simile |
Obsoleto
