Name: STD10N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16924-2-ND
Price: 1.77284 CHF
Availability: OutOfStock

STD10N60DM2
Codice DigiKey	497-16924-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16924-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16924-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD10N60DM2
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 8 A (Tc) 109W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD10N60DM2 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ DM2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	530mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	529 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	109W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	STD10

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.64000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.77284

STD10N60DM2