
STD10N60DM2 | |
---|---|
Codice DigiKey | 497-16924-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16924-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16924-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STD10N60DM2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 8 A (Tc) 109W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STD10N60DM2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 530mohm a 4A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±25V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 529 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 109W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DPAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
10 | Fr. 0.96300 | Fr. 9.63 |
100 | Fr. 0.66500 | Fr. 66.50 |
500 | Fr. 0.55920 | Fr. 279.60 |
1’000 | Fr. 0.52730 | Fr. 527.30 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
---|---|---|
2’500 | Fr. 0.46254 | Fr. 1’156.35 |
5’000 | Fr. 0.43150 | Fr. 2’157.50 |
7’500 | Fr. 0.43080 | Fr. 3’231.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.21000 |
---|---|
Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.30801 |