Name: STD12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16033-2-ND
Price: 1.75122 CHF
Availability: InStock

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STD12N60M2
Codice DigiKey	497-16033-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16033-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16033-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD12N60M2
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 9 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD12N60M2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M2	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 538 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STD12
RDSon (max) a Id, Vgs 450mohm a 4,5A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.62000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.75122

STD12N60M2