STD150N3LLH6 STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STD150N3LLH6 è obsoleto e non è più in produzione.

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STD150N3LLH6
Codice DigiKey	497-8889-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD150N3LLH6
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD150N3LLH6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,8mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	29 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	3700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	STD15