Canale N 400 V 2 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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STD3N40K3

Codice DigiKey
497-13265-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STD3N40K3
Descrizione
MOSFET N CH 400V 2A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 400 V 2 A (Tc) 30W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Modelli EDA/CAD
STD3N40K3 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 50µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±30V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
165 pF @ 50 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
400 V
Contenitore del fornitore
DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
3,4ohm a 900mA, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDD3N40TMonsemi3’521FDD3N40TMCT-NDFr. 0.97000Diretto
AOD3N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1350-2-NDFr. 0.24837Simile
IRFR310PBFVishay Siliconix2’948IRFR310PBF-NDFr. 1.73000Simile
IRFR310TRLPBFVishay Siliconix0IRFR310TRLPBFCT-NDFr. 1.73000Simile
IRFR310TRPBFVishay Siliconix9’662IRFR310PBFCT-NDFr. 1.73000Simile
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.44481Fr. 1’112.02
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.44481
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.48084