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STD70NS04ZL | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-10411-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD70NS04ZL |
Descrizione | MOSFET N-CH 33V 70A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 13 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 33 V 70 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STD70NS04ZL Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32 nC @ 5 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 33 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 30A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDD6670A | onsemi | 151 | FDD6670ACT-ND | Fr. 1.37000 | Simile |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | Fr. 1.56000 | Simile |
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 93’382 | IPD090N03LGATMA1CT-ND | Fr. 0.87000 | Simile |
| IRLR7821PBF | Infineon Technologies | 0 | IRLR7821PBF-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| IRLR8259TRPBF | Infineon Technologies | 0 | IRLR8259TRPBFCT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.51849 | Fr. 1’296.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.51849 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.56049 |
