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STD7N52K3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-10016-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD7N52K3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 525V 6A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 525 V 6 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STD7N52K3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 50µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 737 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 525 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 980mohm a 3,1A, 10V |
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Sostituti (7)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 4’400 | 785-1485-1-ND | Fr. 1.48000 | Simile |
| FDD6N50FTM | onsemi | 5’979 | FDD6N50FTMCT-ND | Fr. 1.43000 | Simile |
| FDD6N50TM | onsemi | 0 | FDD6N50TMTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| FDD6N50TM-WS | onsemi | 0 | FDD6N50TM-WSTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
| FDD8N50NZTM | onsemi | 0 | FDD8N50NZTMTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.52437 | Fr. 1’310.92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.52437 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.56684 |
