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STD80N6F7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | STD80N6F7-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD80N6F7 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 40A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 40 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale TO-252 (DPAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 25 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1600 pF @ 30 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Contenitore del fornitore TO-252 (DPAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 20A, 10V |
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Sostituti (1)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NP90N06VLG-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 0 | NP90N06VLG-E1-AYTR-ND | Fr. 0.00000 | Simile |
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Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.28324 | Fr. 708.10 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.28324 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.30618 |
