H2PAK
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STH160N4LF6-2

Codice DigiKey
497-15466-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STH160N4LF6-2
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STH160N4LF6-2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,2mohm a 60A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA (min)
Carica del gate (Qg) max a Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
8130 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
H2PAK-2
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Nastrato in bobina (TR)
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Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.57617