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STH110N7F6-2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | STH110N7F6-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STH110N7F6-2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 68 V 80 A (Tc) 176W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STH110N7F6-2 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 68 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 6,3mohm a 55A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 5850 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 176W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | H2PAK-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Manufacturer Quote Required
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