STH140N6F7-2 STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STH140N6F7-2 è obsoleto e non è più in produzione.

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STH140N6F7-2
Codice DigiKey	497-16314-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH140N6F7-2
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 80 A (Tc) 158W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH140N6F7-2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	3mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2700 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	158W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	H2PAK-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STH140