


STH180N10F3-2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-11216-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-11216-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-11216-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STH180N10F3-2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STH180N10F3-2 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,5mohm a 60A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 114.6 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6665 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 315W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | H2PAK-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.18000 | Fr. 4.18 |
| 10 | Fr. 2.78400 | Fr. 27.84 |
| 100 | Fr. 1.99150 | Fr. 199.15 |
| 500 | Fr. 1.91450 | Fr. 957.25 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.56414 | Fr. 1’564.14 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.51858 |

