Name: STL120N8F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16116-2-ND
Price: 2.73493 CHF
Availability: InStock

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STL120N8F7
Codice DigiKey	497-16116-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16116-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16116-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL120N8F7
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 120 A (Tc) 4,8W (Ta), 140W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL120N8F7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 60 nC @ 10 V
Serie STripFET™ F7	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4570 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 4,8W (Ta), 140W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 120 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STL120
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 11,5A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TPH4R008NH,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	8’500	TPH4R008NHL1QCT-ND	Fr. 3.15000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 2.53000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 2.73493

STL120N8F7