Name: STL22N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STL22N60M6-ND
Price: 0.9382 CHF
Availability: OutOfStock

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STL22N60M6
Codice DigiKey	STL22N60M6-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL22N60M6
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10 A (Tc) 57W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6) HV
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL22N60M6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ M6
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	250mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,75V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	800 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	57W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerFlat™ (5x6) HV
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	STL22

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)