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Renesas Electronics Corporation
In magazzino: 2’928
Prezzo unitario : Fr. 2.30000
Scheda tecnica
MOSFET - Array 40V 18 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
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STL52DN4LF7AG

Codice DigiKey
STL52DN4LF7AG-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
STL52DN4LF7AG
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 18 A (Tc) 65W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STL52DN4LF7AG Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
18 A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
16mohm a 6A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
9,4nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
500pF a 25V
Potenza - Max
65W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (5x6)
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.35932Fr. 1’077.96
6’000Fr. 0.33466Fr. 2’007.96
9’000Fr. 0.32914Fr. 2’962.26
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.35932
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.38842