8PowerVDFN
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STL7N10F7

Codice DigiKey
497-14990-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-14990-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-14990-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL7N10F7
Descrizione
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 7A (Tj) 2,9W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (3,3x3,3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STL7N10F7 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
35mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
920 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,9W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (3,3x3,3)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
STL7
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In magazzino: 20’486
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.22000Fr. 1.22
10Fr. 0.76800Fr. 7.68
100Fr. 0.51110Fr. 51.11
500Fr. 0.40100Fr. 200.50
1’000Fr. 0.36554Fr. 365.54
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.28700Fr. 861.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.31882