STN1N20 STMicroelectronics | Prodotti a semiconduttore discreti

STN1N20 è obsoleto e non è più in produzione.

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STN1N20
Codice DigiKey	497-3176-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STN1N20
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 200 V 1 A (Tc) 2,9W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STN1N20 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MESH OVERLAY™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	15.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	206 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,9W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	STN1N