SOT-223
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STN3P6F6

Codice DigiKey
497-13537-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-13537-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-13537-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STN3P6F6
Descrizione
MOSFET P-CH 60V SOT223
Tempi di consegna standard del produttore
13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 3 A (Tj) 2,6W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STN3P6F6 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
160mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
340 pF @ 48 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,6W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-223
Contenitore/involucro
TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base
STN3
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In magazzino: 5’465
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 1.10000Fr. 1.10
10Fr. 0.69000Fr. 6.90
100Fr. 0.45740Fr. 45.74
500Fr. 0.35724Fr. 178.62
1’000Fr. 0.32499Fr. 324.99
2’000Fr. 0.30465Fr. 609.30
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4’000Fr. 0.27506Fr. 1’100.24
8’000Fr. 0.25588Fr. 2’047.04
12’000Fr. 0.24890Fr. 2’986.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 1.10000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.18910
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