STP11NM60ND è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore

STF13N60DM2
STMicroelectronics
In magazzino: 279
Prezzo unitario : Fr. 2.15000
Scheda tecnica

Simile

FCP11N60F
onsemi
In magazzino: 2’052
Prezzo unitario : Fr. 3.34000
Scheda tecnica

Simile

FCP600N60Z
onsemi
In magazzino: 143
Prezzo unitario : Fr. 2.45000
Scheda tecnica

Simile

FCP7N60
onsemi
In magazzino: 624
Prezzo unitario : Fr. 2.70000
Scheda tecnica

Simile

IXFP10N60P
IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.64977
Scheda tecnica

Simile

IXFP14N60P
IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.95410
Scheda tecnica

Simile

IXFP8N65X2
IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.42347
Scheda tecnica

Simile

IXTP10N60P
IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 1.59357
Scheda tecnica

Simile

IXTP8N65X2
IXYS
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.95287
Scheda tecnica

Simile

IXTP8N70X2
IXYS
In magazzino: 26
Prezzo unitario : Fr. 4.06000
Scheda tecnica

Simile

IXTP8N70X2M
IXYS
In magazzino: 12
Prezzo unitario : Fr. 3.43000
Scheda tecnica

Simile

RJK6014DPP-A0#T2
Renesas Electronics Corporation
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 4.09000
Scheda tecnica
Visualizza e confronta tutti i componenti sostitutivi
Canale N 600 V 10 A (Tc) 90W (Tc) Foro passante TO-220
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STP11NM60ND

Codice DigiKey
497-8442-5-ND
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STP11NM60ND
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 600 V 10 A (Tc) 90W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STP11NM60ND Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
FDmesh™ II
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
450mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
850 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
90W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-220
Contenitore/involucro
TO-220-3
Codice componente base
STP11
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.